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(回收二三极管)三极管工作原理分析,精辟、透彻
时间: 2022-03-14 20:02 浏览次数:
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原标题:无锡回收ic

三极管工作原理分析,精辟、透彻

我一直在梳理器件的知识,二极管已经梳理完了,前面也插着写了些MOS管的相关内容,一直没梳理过三极管。

为了完善知识体系,最近呢,又去学了学,查了查,在网上找到一个比较好的文章,关于如何理解三极管无锡回收ic工作原理的,我觉得很不错,整理了下,分享给同志们。

学习的正确姿势

关于三极管,我相信每个搞硬件的应该都有看过基本原理,现在我们算是温故而知新,那么最好是带着问题去看。

这里我准备了几个问题,咱们带着这几个问题往下看。

1、集电结为无锡回收ic何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。

2、放大状无锡回收ic

态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;

即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为零。

3、饱和状态下,Vc无锡回收ic

电位很弱的情况下,仍然会有反向大电流Ic的产生。

以上这三点,都是为什么?

很多教科书对于这部分内容,在无锡回收ic讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书,大多采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因。

即使专业性很强的教科书,无锡回收ic采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,使讲解内容前后矛盾,甚至造成讲还不如不讲的效果,使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。

传统讲法及问题

传统讲法一般分三步,以NPN型为例(无锡回收ic以下所有讨论皆以NPN型硅管为例),如下图。

1.发射区向基区注入电子;

2.电子在基区的扩散与复合;

3.集电区收集由基区扩散过来的电子。

问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电区无锡回收ic

的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄,集电结就可以反向导通,PN结的单向导电性就会失效。其实这正好与无锡回收ic三极管的电流放大原理相矛盾。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关,Ic只能受控于Ib。

问题2:不能很好地说明三极管的饱和状态。当三极管工作在饱和区时,Vc的值很小甚至还会低于Vb,此时仍然出现了很大的反向饱和电流Ic,也就是说在Vc很小时,集电结无锡回收ic仍然会出现反向导通的现象。这很明显地与强调Vc的高电位作用相矛盾。

问题3:传统讲法第2步过于强调基区的薄,还容易给人造成这样的误解,以为是基区的足够薄在支承三极管集电结的反向导通,只要基区足够薄,集电结就可能会失去PN结的单向导电特性。无锡回收ic

这显然与人们利用三极管内部两个PN结的单向导电性,来判断管脚名称的经验相矛盾。既使基区很薄,人们判断管脚名称时,也并没有发现因为基区的薄而导致PN结单向导电性失效的情况。基区很薄,但两个PN结的单向导电特性仍然完好无损,无锡回收ic这才使得人们有了判断三极管管脚名称的办法和根据。

问题4:在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制,并且Ic与Ib之间为什么会存在着一个无锡回收ic

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