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山西省首片SiC芯片问世!(回收呆滞料)
时间: 2022-03-17 13:59 浏览次数:
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原标题:贵阳回收ic山西省首片SiC芯片问世!

继2020年成功研制首片6英寸高纯半绝缘SiC单晶衬底之后,山西省近日又成功研制出第一片SiC芯片,标志着山西省第三代半导体全产业链的布局更进了一步。

据山西日报报道,首片SiC芯片是由贵阳回收ic贵阳回收ic中电科二所研制。2021年,中电科二所承贵阳回收ic担了山西太原某实验室6英寸SiC芯片整线系统集成项目,该项目要求4个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试,并研制出第一片芯片。

为此,中电科二所在一个月之内完成单机设备调试以及SiC SBD整线工艺调试,并于近日成功开发山西省第一片SiC芯片。下一步,中电科二所将全力推进实验室二期SiC芯片中试线和SiC器件智能封装线的

中电科二所表示,该项目的成功是落实山西省“十四五”规划将半导体产业打造成新支柱产业取得的阶段性重大成果,也代表着山西省向半导体领域转型发展道路上贵阳回收ic的一个重要进展。

中电科二所自2007年开始布局SiC单晶衬底材料领域,现已形成了从SiC粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套SiC材料研制线,并在国内最早实现高纯SiC材料、高纯SiC半绝缘衬底的量产。同时,中电科二所还将SiC激光剥离设备列为重点研发装备,贵阳回收ic致力于推动激光剥离设备的国产化。

最近,在推动山西省乃至全国第三代半导体产业突破产业壁垒的道路上,中电科二所的研究突破与成果除了芯片领域之外,也涉及SiC关键设备领域。

本月初,中电科二所在SiC激光剥离设备研究方面取得突破性进展。据悉,中电科二所已经掌握了激光剥离技术原理与工艺基础,并利用自主搭建的实验测试平台,结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术,实现了小尺寸SiC单晶片的激光剥离。

目前,这一项目已经通过专家论证,正式立项启动。下一步,中电科二所将聚焦激光剥离技术的实用化和工程化,推进工艺与设备的协同创新,从而研发出快速生产化、全自动化、低能耗化的激光剥离设备。(文:化合物半导体市场 Jenny整理)返回搜狐,查看更多

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